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        SiC模块的特征与电路构成

        SiC 模块内置的功率半导体元件全部由SiC构成,与Si(硅)材质的IGBT模块相比,可大幅降低开关损耗。 内置SiC-SBD、SiC-MOSFET,与传统的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高频环境下工作成为可能。
        4.1 SiC 模块的特征
        现在,针对大电流的功率模块中广泛应用的主要是由Si 的IGBT 和FRD 组成的IGBT 模块。ROHM在世界上首次开始推出搭载了SiC‐MOSFET 和SiC‐SBD 的功率模块。由IGBT 的尾电流和FRD 的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过切换为SiC 功率模块可以明显地减少,因此具有以下效果:
        1. 开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化(例:散热片的小型化、水冷/强制风冷的自然风冷化)
        2. 工作频率的高频化,使周边器件小型化(例:电抗器或电容等的小型化)
        主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。文章来源:http://www.cobainfan.com/js/157.html
        4.2 电路构成
        现在量产中的SiC 功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1 类型的模块,分为由SiC MOSFET+ SiC SBD 构成的类型和只由SiC MOSFET 构成的类型这两种,请根据用途进行选择。
        SiC 功率模块尺寸
        模块外观如下图:
        SiC 功率模块外观
        SiC 功率模块电路图(半桥电路)
        ■SiC‐MOSFET + SiC‐SBD 组成
        SiC‐MOSFET + SiC‐SBD
        ■SiC‐MOSFET 组成
        SiC‐MOSFET
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