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        SiC模块与IGBT模块的开关损耗比较

        以下展示的是不同三家公司已经产品化的最新(2012 年时)的1200V/100A 等级2in1 结构的IGBT模块SiC 模块的比较结果。
        4.4.1 总开关损耗的比较
        如果选择了合适的门极电阻,SiC 功率模块的总开关损耗(Eon + Eoff + Err)能够比损耗最小的IGBT模块降低85%。 因此,SiC 模块可以在以往的IGBT 模块无法达到的50KHz 以上驱动,也可以使 电抗器等被动器件小型化。而且,在通常的IGBT 模块中,由于存在由开关损耗引起的发热问题,只能使用额定电流的一半左右的电流工作,但是,SiC 模块的开关损耗很小,所以在高频驱动时也不用取大幅度的电流降额就可以使用。也就是说,SiC 功率模块可以替换额定电流更大的IGBT模块。文章来源:http://www.cobainfan.com/js/173.html
        SiC 功率模块的总开关损耗
        4.4.2 恢复损耗(Err)的比较
        IGBT 模块中的FRD 的峰值反向恢复电流Irr、反向恢复时间trr 很大,所以产生较大的损耗,而SiC‐SBD 的Irr、trr 非常小,损耗值几乎可以忽略不计。
        恢复损耗(Err)的比较
        4.4.3 Turn‐on 损耗(Eon)的比较
        回流臂上产生的恢复电流贯通到相对一侧,从而使开关器件的Turn‐on 损耗增大。与恢复损耗一样,二极管的恢复越快,SiC 功率模块的Turn‐on 损耗越小。而且外部门极电阻越小,损耗越小。
        Turn‐on 损耗(Eon)的比较
        4.4.4 Turn‐off 损耗(Eoff)的比较
        IGBT 的Turn‐off 损耗是由尾电流引起的,所以对门极电阻的依赖性不是特别明显,一般都很大。而SiC‐MOSFET 在原理上不存在尾电流,所以可以超快速、低损耗地进行开关动作。另外,外部门极电阻阻值越低,损耗越小。转载请注明出处:http://www.cobainfan.com/
        Turn‐off 损耗(Eoff)的比较


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