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        SiC‐SBD 的可靠性

        5.1 dV/dt 破坏、 dI/dt 破坏
        当施加较大的dV/dt 时,SiC‐SBD 的周边结构就会被破坏,这种破坏模式已经在其他公司的以往产品中得到印证,但是根据目前为止的调查,ROHM 的SBD 即使在50kV/us 左右的状态下动作也不会发生这种破坏模式。文章来源:http://www.cobainfan.com/
        另外,Si‐FRD 在di/dt 较大的情况下,存在因恢复电流Irr 变大而电流集中从而导致破坏的破坏模式。而SiC‐SBD 的恢复电流非常小,所以难以发生这种破坏模式。
        5.2 SiC‐SBD 的可靠性测试结果

        根据规格书中记载的电气特性来进行故障判定。
        Failure criteria: According to the electrical characteristics specified by the specification.
        关于可焊性测试,判定标准是焊料覆盖面积≥95%。
        Regarding solderability test, failure criteria is 95% or more area covered with solder.
        样品标准:采用可靠性水平90%,故障失效水平λ1=10%,C=0的判定,根据MIL-STD-19500的指数分布型计数一次抽样表,采用22个样本。


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