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        FF200R12KS4英飞凌IGBT模块

        产品作用和性能:
        英飞凌FF200R12KS4 是英飞凌公司专门针对高频应用领域而开发发行的62mmC-Series模块,在变频器中的应用实现了系统的高效率和小型化,其开关频率在20~50kHz的应用场合能发挥最大优良特性 。而在典型情况下, IGBT模块的优化,所针对的载波频率却是10kHz或更低。通常,在IGBT/FWD芯片的通态压降和开关损耗之间有一个折衷关系。高速模块在进行性能折衷时,是让通态电压偏大,以换取偏低的开关功耗,从而能在高频应用中实现最低的总功耗。其在医疗应用、电机传动、谐振逆变器应用、伺服驱动器、UPS系统作为高频开关使用。
        英飞凌IGBT模块FF200R12KS4 
        英飞凌IGBT模块FF200R12KS4
        上海菱端电子科技有限公司www.cobainfan.com常备FF200R12KS4大量现货,价格从优,欢迎联系采购及技术支持。
         


        英飞凌FF200R12KS4机械特性 :
        • 封装的CTI>400 
        • 高爬电距离和电气间隙 
        • 绝缘的基板 
        • 铜基板
        • 标封装

        英飞凌FF200R12KS4 基本参数:IGBT模块,1200V/200A DUAL
         
        英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
         
        英飞凌FF200R12KS4 外形封装尺寸和结构图
         
        英飞凌FF200R12KS4 产品参数:
         
        产品种类: IGBT 模块
        产品: IGBT Silicon Modules
        品牌和型号 英飞凌FF200R12KS4
        配置: Dual
        集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
        集电极—射极饱和电压: 3.2 V
        在25 C的连续集电极电流: 275 A
        栅极—射极漏泄电流: 400 nA
        功率耗散: 1.4 kW
        最大工作温度: + 125 C
        封装 / 箱体: 62 mm
        商标: Infineon Technologies
        栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
        最小工作温度: - 40 C
        安装风格: Screw
        产品价格和中英文资料 联系我们咨询和索取
        每盒数量: 10
         
        英飞凌FF200R12KS4  等效电路
        英飞凌FF200R12KS4  等效电路
         
        英飞凌FF200R12KS4 IGBT模块受损原因分析
         
         IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定:
          --IGBT栅极与发射极之间的电压;
          --IGBT集电极与发射极之间的电压;
          --流过IGBT集电极-发射极的电流;
          --IGBT的结温。
          如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极-发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极-发射极之间的耐压,流过IGBT集电极-发射极的电流超过集电极-发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。
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